mrossx hat geschrieben:
Bei T14 und T15 wird es schon interessanter.... kann mir jemand erklären, wie sich hier der Arbeitspunkt ergibt?
Hallo,
die Spannung zwischen Emitter und Kollektor von T14 beträgt ca. 0,7V (2 * Ube für Germanium-Transistoren).
Nehmen wir mal an, die Spannung an Kreis 15 sei -12V, und die Basisströme seien vernachlässigbar klein.
Dann ergibt sich an T15 ein Emitterstrom von (-12V + 0,7V)/(8k2 + 10k033) = -620µA .
Ue(T14) = -620µA * 10k033 = -6,22V .
Ub(T14) = Ue(T14) - 0,35V = -6,57V .
Der Emitter von T15 hat quasi die gleiche Spannung wie die Basis von T14: Ue(T15) = -6,57V
Also fließt durch R4/R5 ein Strom von -6,57V / 5k682 = -1.156mA .
Dieser Strom sorgt am Kollektor von T15 für eine Spannung von -12V - (-1,156mA * 2k4) =
-9,23V .
Jetzt setzen wir zwei Siliziumtransistoren mit jeweils 0,7V Ube ein und rechnen nochmal:
Dann ergibt sich ein Emitterstrom von (-12V + 1,4V)/(8k2 + 10k033) = -581µA .
Ue(T14) = -581µA * 10k033 = -5,83V .
Ub(T14) = Ue(T14) - 0,7V = -6,53V .
Und damit: Ue(T15) = -6,53V
Durch R4/R5 fließen dann -6,53V / 5k682 = -1.150mA .
Spannung am Kollektor von T15: -12V - (-1,150mA * 2k4) =
-9,24V .
Der Arbeitspunkt ändert sich also nicht wesentlich.
Gruß, Frank
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