Hallo,
solche Transistoren kann man nicht "direkt" mit dem Ohmmeter prüfen, das scheitert ja auch bei Bipolartransistoren zuweilen.
Die Angabe von Munzel
Es ist ein Sperrschicht-FET. Du müßtest also zum Gate hin in einer Richtung eine Diodenstrecke messen können.
würde ich grundsätzlich mit Vorsicht genießen ! Es besteht nur eine galvanische Verbindung des Gate zum Halbleiter, das muß keine echte Diodensperrschicht sein wie beim Bipolartransistor.
Ich würde besser eine kleine Versuchsschaltung aufbauen und versuchen, die grundlegende Kennlinie zumindest qualitativ zu ermitteln, dabei kann die folgende Seite helfen, die man ggf ins Deutsche übersetzen läßt:
http://radiobooka.ru/radionach/634-zani ... stora.html
Hier gibts ja auch eine Prüfung mit Ohmmetern zwischen D und S, die aber noch eine Fremdspannung am Gate benötigen.
Die Suche mit dem kyrillisch geschriebenen Typ könnte weiteren Aufschluß bringen.
Vielleicht besteht zum bekannten BF245 eine Verwandschaft ? Dann kann man natürlich auch diese Versuchsschaltungen nehmen.
Auf jeden Fall gibts ja 4 Arten von MOSFETs, also mit echter Isolation an der Sperrschicht (wo es auch Verarmungstypen gibt) und die Sperrschicht-FETs, die über ein Feld den Kanal verarmen und damit den Drain-Source-Strom steuern, Kennlinie wie Elektronenröhre.
Gruß Ingo
)
